Dispositifs électroniques, circuits, diodes, transistors et jonctions en bref
* Le circuit électronique du dispositif semi-conducteur est constitué d'un matériau qui n'est ni un bon conducteur ni un bon isolant.
* Les dispositifs à semi-conducteurs ne sont que des composants électroniques qui exploitent les propriétés électroniques des matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques.
Mots clés
o semi-conducteur
o diode
o transistor
o Transistor à jonction bipolaire
o base
o collecteur
o émetteur
o circuits intégrés
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Certains des sujets couverts dans l'application sont:
1. L'expérience Haynes-Shockley
2. Matériaux semi-conducteurs
3. réseau cristallin
4. Réseaux cubiques
5. Avions et directions
6. Le treillis de diamant
7. Croissance de cristaux en vrac
8. Croissance des lingots monocristallins
9. Gaufrettes
10. Croissance épitaxiale
11. Epitaxie en phase vapeur
12. Épitaxie par jet moléculaire
13. Porteurs de charge dans les semi-conducteurs
14. Masse effective
15. Matériel intrinsèque
16. Matériel extrinsèque
17. Les électrons et les trous dans les puits quantiques
18. Le niveau de Fermi
19. Compensation et neutralité de la charge d'espace
20. Dérive et Résistance
21. absorption optique
22. photoluminescence
23. électroluminescence
24. Durée de vie du porteur et photoconductivité
25. Recombinaison directe d'électrons et de trous
26. recombinaison indirecte; Piégeage
27. génération de porteuses à l'état stable; Niveaux de quasi-Fermi
28. dispositifs photoconducteurs
29. Processus de diffusion
30. Diffusion et dérive des porteurs: champs intégrés
31. diffusion et recombinaison; L'équation de continuité
32. Injection à l'état stationnaire: longueur de diffusion
33. Gradients dans les niveaux de quasi-Fermi
34. Dépendance à la température des concentrations de transporteur
35. Effets de la température et du dopage sur la mobilité
36. Effets de champs élevés
37. L'effet Hall
38. Fabrication de jonctions p-n: oxydation thermique
39. Diffusion de la jonction P-N
40. Traitement thermique rapide
41. Implantation ionique
42. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
43. Photolithographie
44. Gravure
45. Métallisation
46. Conditions d'équilibre
47. Niveaux d'équilibre de Fermi
48. Charge d'espace à une jonction
49. Jonctions à polarisation directe et inverse
50. Injection de porteur
51. Biais inverse
52. Ventilation par polarisation inverse
53. Panne de Zener
54. Rupture d'avalanche
55. Redresseurs
56. La diode de panne
57. Conditions transitoires et A-C
58. Transient de récupération inverse
59. Le modèle de diode idéale
60. Effets du potentiel de contact sur l'injection de la porteuse
61. Diodes de commutation
62. Capacité des jonctions p-n
63. Recombinaison et génération dans la région en transition
64. Pertes ohmiques
65. Jonctions graduées
66. Jonctions semi-conductrices métalliques: barrières de Schottky
67. Processus de transport actuels
68. Théorie de l'émission thermionique
69. Théorie de la diffusion
70. Théorie des émissions thermioniques
71. Contacts de rectification
72. Courant de tunnel
73. Injection transporteur minoritaire
74. Diode de tunnel MIS
75. Mesure de la hauteur de la barrière
76. Mesure d'énergie d'activation
77. Mesure photoélectrique
78. Contacts ohmiques
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Semiconductor Devices fait partie des cours de formation en ingénierie et des programmes de diplôme en technologie de diverses universités.