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關於VLSI Design

超大規模集成電路設計手冊,帶圖,一分鐘學會一個話題

這個應用程序是一個完整的 VLSI 設計免費手冊,涵蓋了課程中的重要主題、筆記、材料。

它詳細介紹了 VLSI 設計的 90 多個主題。這些主題分為 5 個單元。

它是電子和通信工程教育的一部分,提供有關該主題的重要主題、筆記、新聞和博客。下載該應用程序作為電子和通信工程主題的快速參考指南和電子書。

該應用程序專為考試和麵試時的快速學習、修訂、參考而設計。

這個應用程序涵蓋了大部分相關主題和所有基礎主題的詳細解釋。

本工程電子書中涵蓋的一些主題包括:

1. 半導體存儲器:介紹及種類

2.只讀存儲器(ROM)

3. 三晶體管DRAM單元

4.一個晶體管DRAM單元

5.閃存

6. 低功耗 CMOS 邏輯電路:簡介

7. CMOS反相器的設計

8. MOS Inverters:開關特性介紹

9. 基於掃描的技術

10. 內置自檢 (BIST) 技術

11. 超大規模集成電路設計的歷史前景:摩爾定律

12、CMOS數字電路類型分類

13. 電路設計示例

14. 超大規模集成電路設計方法

15. 超大規模集成電路設計流程

16. 設計層次

17. 規律性、模塊化和局部性的概念

18. CMOS 製造

19. 製造工藝流程:基本步驟

20. nMOS晶體管的製作

21. CMOS 製造:p-well 工藝

22. CMOS製造:n阱工藝

23. CMOS 製造:雙槽工藝

24. 棒圖和掩模版圖設計

25. MOS晶體管:物理結構

26.外部偏壓下的MOS系統

27. MOSFET的結構與工作

28. 閾值電壓

29. MOSFET的電流電壓特性

30. MOSFET縮放

31. 縮放的影響

32. 小幾何效果

33. MOS 電容

34. MOS逆變器

35. MOS逆變器的電壓傳遞特性(VTC)

36. 帶n型MOSFET負載的逆變器

37. 阻性負載逆變器

38. 耗盡型負載逆變器的設計

39. CMOS反相器

40. 延遲時間定義

41. 延遲時間的計算

42. 具有延遲約束的逆變器設計:示例

43.組合MOS邏輯電路:介紹

44. 具有耗盡型 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:雙輸入或​​非門

45. 具有耗盡型 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:具有多個輸入的通用 NOR 結構

46. 具有耗盡型 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:NOR 門的瞬態分析

47. 具有耗盡型 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:雙輸入與非門

48. 具有耗盡 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:具有多個輸入的通用 NAND 結構

49. 具有耗盡 nMOS 負載的 MOS 邏輯電路:與非門的瞬態分析

50. CMOS邏輯電路:NOR2(二輸入NOR)門

51. CMOS NAND2(兩輸入與非)門

52. 簡單 CMOS 邏輯門的佈局

53. 複雜邏輯電路

54. 複雜的 CMOS 邏輯門

55. 複雜 CMOS 邏輯門的佈局

56. AOI 和 OAI 蓋茨

57. 偽 nMOS 門

58. CMOS 全加器電路和進位紋波加法器

59. CMOS傳輸門(Pass Gates)

60. 互補通路晶體管邏輯 (CPL)

61.順序MOS邏輯電路:簡介

62. 雙穩態元件的行為

63. SR 鎖存電路

64. 時鐘 SR 鎖存器

65. 時鐘 JK 鎖存器

66. 主從觸發器

67. CMOS D-Latch 和邊沿觸發觸發器

68.動態邏輯電路:簡介

69. 傳輸晶體管電路的基本原理

由於字數限制,未列出所有主題。

每個主題都配有圖表、方程式和其他形式的圖形表示,以便更好地學習和快速理解。

這個應用程序將有助於快速參考。使用這個應用程序可以在幾個小時內完成所有概念的修改。

請不要給我們較低的評級,而是將您的疑問、問題郵寄給我們,並給我們有價值的評級和建議,以便我們在以後的更新中考慮它。我們很樂意為您解決這些問題。

最新版本13.0更新日誌

Last updated on 2024年10月10日

Minor bug fixes and improvements. Install or update to the newest version to check it out!

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最新版本

請求 VLSI Design 更新 13.0

上傳者

Jose Reyez

系統要求

Android 7.0+

Available on

VLSI Design 來源 Google Play

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