MOS ICs & Technology

MOS ICおよびテクノロジーアプリの学生のためのコース、講義、ノート＆本をカバーしています。

簡単な学習と迅速な学習のためのMOS ICおよび技術（集積回路）上のFREE注意。このアプリは、実際に対象のすべてのトピックをカバーFREEハンドブック、です。あなたは教授が教室でとガイドの注意事項として、このアプリケーションを考慮することができます。

あなたは非常に簡単に渡すと、あなたの携帯電話でこのアプリケーションを持っている場合は、あなたの試験と面接で成功し、数日間概観を与えることができます。

これは、詳細にMOS ICおよびテクノロジーの114件のトピックをカバーしています。これらの114件のトピックは、8つの単位に分割されています

このアプリケーションで説明する項目は以下のとおりです。

1.ムーアの法則。

利用可能な技術の2.比較

3.基本的なMOSトランジスタ

4.エンハンスメントモードトランジスタのアクション：

5. NMOSの製作：

前記CMOSは、P-WELLプロセスをfabrication-

7. CMOS製造-N-WELLプロセス：

8. CMOS製造-ツインタブプロセス

9.バイCMOSテクノロジー： - （バイポーラCMOS）：

電子ビームマスクの10生産

MOSトランジスタに11入門

固定のVdsのためのVgsとIdsとの関係12を、

13. MOS方程式（基本DC方程式）：

14.第二の注文の効果

15. CMOS INVETER特性

16.インバータDC特性

インバータDC特性の17グラフィカル導出

18.ノイズマージン

19.静的負荷MOSインバータ

20トランスミッションゲート

21.トライステートインバータ

NMOSプロセスのための22スティック図 - エンコーディング

CMOSプロセスのための23のエンコーディング

BJTとMOSFETの24エンコーディング

25. NMOSとCMOSのデザインスタイル

26.デザインルール - MOS ICおよびテクノロジー

27を介して

28. CMOSラムダベースの設計ルール

29.オービット2um CMOSプロセス

30.抵抗推定。

MOSトランジスタ31のシート抵抗

32.容量推定

33.ディレイ

34.インバータの遅延

遅延の35.フォーマル推定

36.大きな容量性負荷を駆動します

Fの37最適値

38.スーパーバッファ

39のBiCMOSドライバー

40.伝搬遅延

静電容量の41.その他の情報源

層の42の選択

MOSデバイスの43スケーリング

44.基本的な物理設計の概要

45.基本的な物理設計の概要

46.図と基本ゲート・インバータゲートのレイアウト

47回路図と基本ゲート、NANDとNORゲートのレイアウト

48.トランスミッションゲート

49. CMOS標準セル設計

パフォーマンスのための50のレイアウトの最適化

51.一般的なレイアウトのガイドライン

52 BICMOSロジック

53.疑似NMOSロジック

擬似nmos-マルチドレインロジックとギャングロジックの54他の変形

擬似nmos-ダイナミックCMOSロジックの55他の変形

クロックドCMOSロジックnmos-擬似の56他の変形例（C2MOS）

57. CMOSドミノ論理

58.カスケード電圧スイッチロジック

59.パス・トランジスタ・ロジック

60. CMOS技術の論理回路構造

MOS回路の61スケーリング

62.技術のスケーリング

半導体のための63の国際技術ロードマップ（ITRS）

64.スケーリングモデルとデバイスパラメータのためのスケーリング係数

スケーリングの65.影響

66.インターコネクト災禍

67.到達可能半径

68.動的および静的パワー

69.生産性と物理的な限界

スケーリングの70制限事項

71基板ドーピング

72.空乏幅

小型化の限界73

相互接続及びコンタクト抵抗の74制限

サブスレッショルド電流による75の限界

サブスレッショルド電流による76の限界

77.システム

78 VLSI設計フロー

79. 3構造化設計手法

80.規則性

スイッチとして81 MOSFET

82並列スイッチの直列接続

83. CMOSインバータ

84. NANDゲートのデザイン

85. NORゲートのデザイン

86. CMOSプロパティ

87.コンプレックス門

88.コンプレックス門AOI

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