MOS ICs & Technology

MOS集成电路及技术应用涵盖了学生课程，讲座，笔记和书籍。

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几乎涵盖了MOS集成电路技术的114个主题。这些114个主题在8个单位划分

一些在此应用程序涉及的主题有：

1.摩尔定律。

2.现有技术的比较

3.基本MOS晶体管

4.增强型晶体管行动：

5. NMOS制作：

6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESS

7. CMOS制造-N阱工艺：

8. CMOS制造-双桶过程

9.双CMOS技术： - （双极CMOS）：

10.生产电子束掩模的

11.介绍MOS晶体管

12. Vgs的和ID之间的关系对于固定的Vds

13. MOS方程（基本DC方程）：

14.二阶效应

15. CMOS INVETER特性

16.逆变器直流特性

17.逆变器直流特性的图形推导

18.噪声余量

19.静态负载MOS反相器

20.传输门

21.三态反相器

22.棒图-编码为NMOS过程

23.编码针对CMOS工艺

24.编码BJT和MOSFET

25. NMOS和CMOS的设计风格

26.设计规则 - MOS集成电路技术

27.通过

28. CMOS拉姆达基于设计规则

29.轨道2um的CMOS工艺

30.电阻估计。

31. MOS晶体管的薄层电阻

32.容量估计

33.延迟

34.反相器延迟

35.延迟的形式估计

36.驱动大电容性负载

的F 37.最佳值

38.超级缓冲

39. BICMOS司机

40.传播延迟

41.电容的其它来源

42.层的选择

43.缩放MOS器件的

44.基本物理设计的概述

45.基本物理设计的概述

46.原理图和基本的布局栅极逆变器门

47.原理图和基本门-NAND和NOR门的布局

48.传输门

49. CMOS标准单元设计

性能50.布局优化

51.总体布局指南

52. BICMOS逻辑

53.伪NMOS逻辑

54.伪nmos-多漏极的逻辑和成组逻辑的其它变

55.伪nmos-动态CMOS逻辑的其它变

nmos-主频CMOS逻辑伪56.其它变型（C2MOS）

57. CMOS多米诺逻辑

58.级联电压开关逻辑

59.通晶体管逻辑

60. CMOS技术逻辑电路结构

61.缩放MOS电路

62.科技缩放

63.国际半导体技术发展蓝图（ITRS）

64.缩放模式和设备参数量化因子

缩放的65启示

66.互连愁楚

67.可达半径

68.动态和静态功耗

69.生产力和物理极限

结垢70.限制

71.衬底掺杂

72.耗尽宽度

小型化的73限制

互连和接触电阻的限制74.

75.限制由于亚阈值电流

76.限制由于亚阈值电流

77.系统

78. VLSI设计流程

79. 3结构化设计方法

80.规律

81. MOSFET作为开关

开关82并联和串联连接

83. CMOS反相器

84.与非门设计

85. NOR门设计

86. CMOS属性

87.复合门

88.复合门AOI

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