MOS ICs & Technology

MOS circuitos integrados y de aplicaciones que cubre Tecnología cursos, conferencias, notas y libros para los estudiantes.

Notas libres sobre MOS circuitos integrados y Tecnología (circuito integrado) para el aprendizaje fácil y rápido aprendizaje. Esta aplicación es en realidad un manual gratuito, que cubre todos los temas de la asignatura. Se puede considerar que esta aplicación como profesores guías con un aula en una nota.

Se puede pasar muy fácilmente y tener éxito en sus exámenes y entrevistas si usted tiene esta aplicación en su teléfono móvil, y dar una visión general durante unos días.

Cubre 114 temas de circuitos integrados MOS y Tecnología en detalle. Estos 114 temas se dividen en 8 unidades

Algunos de los temas tratados en esta aplicación son:

1. La Ley de Moore.

2. Comparación de las tecnologías disponibles

3. Los transistores MOS básicos

4. Mejora de acción modo Transistor:

5. NMOS Fabricación:

6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESO

7. CMOS fabricación-N-WELL proceso:

8. CMOS fabricación-Twin-bañera proceso

9. La tecnología Bi-CMOS: - (bipolar CMOS):

10. La producción de máscaras de haz de electrones

11. Introducción a MOS Transistor

12. Relación entre Vgs y Ids, para un Vds fijo

13. ecuaciones MOS (ecuaciones básicas DC):

14. efectos de segundo orden

15. CARACTERÍSTICAS inveter CMOS

16. Características del convertidor DC

17. Derivación gráfica de las características del convertidor DC

18. Margen de ruido

19. Carga estática inversores MOS

20. puertas de transmisión

21. inversor de tres estados

22. palillo diagramas de codificaciones para el proceso NMOS

23. codificaciones para proceso CMOS

24. Codificación para BJT y MOSFET

25. NMOS y el estilo de diseño CMOS

26. Reglas de Diseño - MOS circuitos integrados y Tecnología

27. Vía

28. CMOS lambda reglas de diseño basado

29. Orbit 2um proceso CMOS

30. Resistencia estimación.

31. La resistencia laminar de transistores MOS

32. estimación de capacitancia

33. Retraso

34. retrasos inversor

35. formales de estimación de retardo

36. Conducción gran carga capacitiva

37. valor óptimo de f

38. Súper búfer

39. conductores BiCMOS

retardo 40. Propagación

41. Otras fuentes de capacitancia

42. Elección de las capas

43. El escalado de dispositivos MOS

44. diseño físico básico una visión general

45. diseño físico básico una visión general

46. ​​esquemática y el diseño de básicos puertas-Inverter Puerta

47. esquemática y el diseño de básico puertas-NAND y NOR Puerta

puerta 48. Transmisión

49. CMOS de diseño estándar de celda

50. Disposición de optimización de rendimiento

51. directrices generales de diseño

52. BICMOS Lógica

53. Pseudo lógica NMOS

54. Otras variaciones de la lógica de drenaje Multi seudo nmos- y la lógica tándem

55. Otras variaciones de seudo nmos- lógica CMOS dinámica

56. Otras variaciones de seudo nmos- LÓGICA velocidad de reloj CMOS (C2MOS)

57. CMOS lógica dominó

58. cascada lógica interruptor de voltaje

lógica transistor 59. Pass

60. CMOS estructuras de circuitos lógicos tecnología

61. Escala de circuitos MOS

62. Tecnología de escala

63. Hoja de Ruta de Tecnología Internacional para Semiconductores (RTI)

64. Modelos de Escalado y factores de escala para Parámetros del dispositivo

65. Implicaciones de Escalada

66. aflicciones de interconexión

67. Radio Accesible

68. dinámico y estático de energía

69. Productividad y límites físicos

70. Limitaciones de Escalada

71. Sustrato dopaje

anchura 72. El agotamiento

73. Los límites de la miniaturización

74. Límites de interconexión y el contacto de resistencia

75. Límites debido a las corrientes subliminales

76. Límites debido a las corrientes subliminales

77. Sistema

caudal de diseño 78. VLSI

79. 3 enfoque de diseño estructurado

80. Regularidad

81. MOSFET como interruptor

82. Conexión en paralelo y serie de interruptores

INVERSOR 83. CMOS

84. Diseño NAND puerta

85. Diseño puerta NOR

Propiedades CMOS 86. Los

87. puertas complejas

88. puertas complejas AOI

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