MOS ICs & Technology

MOS circuiti integrati e tecnologia App copertura dei corsi, lezioni, appunti e libri per gli studenti.

Note GRATIS su MOS circuiti integrati e tecnologia (circuito integrato) per facilitare l'apprendimento e l'apprendimento rapido. Questa App è in realtà un manuale gratuito, che copre tutti gli argomenti del soggetto. Si può considerare questa applicazione come note che professori guide con in una classe.

Si può facilmente passare e avere successo nei vostri esami e interviste se si dispone di questa applicazione nel telefono cellulare, e dare una visione d'insieme per un paio di giorni.

Esso copre 114 argomenti di MOS circuiti integrati e tecnologia in dettaglio. Questi 114 argomenti sono divisi in 8 unità

Alcuni degli argomenti trattati in questa applicazione sono:

1. Legge di Moore.

2. Confronto delle tecnologie disponibili

3. transistor MOS di base

4. Valorizzazione azione modalità Transistor:

5. NMOS Fabrication:

6. CMOS fabrication- P-WELL PROCESSO

7. CMOS-N-WELL processo:

8. CMOS-Twin-tub processo

La tecnologia 9. Bi-CMOS: - (Bipolar CMOS):

10. La produzione di maschere e-beam

11. Introduzione a transistor MOS

12. Relazione tra Vgs e Ids per un Vds fissa

13. equazioni MOS (equazioni di base DC):

14. Secondo gli effetti dell'ordine

15. CARATTERISTICHE inveter CMOS

16. Caratteristiche Inverter DC

17. Derivazione grafica di Inverter DC Caratteristiche

18. Noise Margin

19. inverter MOS di carico statico

20. porte di trasmissione

21. Tristate Inverter

22. Stick diagrammi-codifiche per processo NMOS

23. codifiche per processo CMOS

24. Codificatore per BJT e MOSFET

25. NMOS e stile CMOS design

Regole 26. Design - MOS circuiti integrati e tecnologia

27. Via

28. regole di progettazione basato CMOS lambda

29. Orbit 2um processo CMOS

30. Resistenza stima.

31. Foglio resistenza di transistori MOS

Stima 32. Capacità

33. Ritardo

34. ritardi Inverter

35. stima formale di ritardo

36. Guidare grande carico capacitivo

37. valore ottimale di f

38. Super tampone

driver 39. BICMOS

Ritardo 40. Propagazione

41. Altre fonti di capacità

42. Scelta di strati

43. Scaling dei dispositivi MOS

44. progettazione fisica di base una panoramica

45. progettazione fisica di base una panoramica

46. ​​schematica e layout della base cancelli inverter cancello

47. schematica e layout della base porte NAND e NOR gate

cancello 48. Trasmissione

49. CMOS progettazione cella standard

Ottimizzazione 50. Layout per le prestazioni

51. Linee guida generali di layout

52. BICMOS Logic

53. Pseudo logica NMOS

54. Altri tipi di logica scarico Multi pseudo nmos- e logica Ganged

55. Altri tipi di pseudo nmos- logica CMOS dinamica

56. Altri tipi di pseudo nmos- cadenzato CMOS LOGIC (C2MOS)

57. CMOS logica domino

logica commutatore di tensione 58. cascata

logica transistore 59. Passo

60. CMOS strutture circuitali logici tecnologia

61. Scaling di circuiti MOS

62. Tecnologia Scaling

63. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS)

64. I modelli ridimensionamento e fattori di scala per i parametri del dispositivo

65. Implicazioni della Scala

66. Guai Interconnect

67. Raggiungibile Raggio

68. Dinamico e Statico Potenza

69. Produttività e limiti fisici

70. Limitazioni di Scaling

71. Substrato doping

larghezza 72. Depletion

73. Limiti della miniaturizzazione

74. Limiti di interconnessione e di contatto resistenza

75. Limiti dovute alle correnti sottosoglia

76. Limiti dovute alle correnti sottosoglia

77. sistema

flusso di progettazione 78. VLSI

79. 3 strutturato approccio progettuale

80. Regolarità

81. MOSFET come un interruttore

82. Collegamento in parallelo e serie di interruttori

INVERTER 83. CMOS

84. porta NAND disegno

85. porta NOR design

Proprietà CMOS 86.

87. cancelli complessi

88. cancelli complessi AOI

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