MOS ICs & Technology

MOS IC & Technology App obejmujące oczywiście, wykład, notatki i książki dla studentów.

DARMOWE Uwagi dotyczące układów scalonych MOS & Technology (układu scalonego) do łatwego uczenia się i szybkiego uczenia się. Ta aplikacja jest rzeczywiście darmowy poradnik, który obejmuje wszystkie tematy związane z tematem. Można rozważyć tę aplikację jako notatek, które Profesorowie prowadnice ze w klasie.

Można bardzo łatwo przejść i odnieść sukces w swoich egzaminów i rozmów, jeśli masz aplikację w telefonie komórkowym, i dać przegląd przez kilka dni.

Obejmuje ona 114 tematy MOS scalonych i Technologii w szczegółach. Te 114 tematy są podzielone na 8 jednostek

Niektóre z tematów poruszanych w niniejszym wniosku są:

1. Prawo Moore'a.

2. Porównanie dostępnych technologii

3. Podstawowe Tranzystory MOS

4. Tryb działania Wzmocnienie tranzystorowe:

5. NMOS Wykonanie:

6. CMOS fabrication- P-studzienkowej PROCES

7. CMOS wytwarzanie N-studzienkowej procesu:

8. CMOS wytwarzanie podwójnymi wanna Sposób

9. Bi technologii CMOS: - (dwubiegunowe CMOS)

10. Wytwarzanie maski wiązki elektronów

11. Wprowadzenie do MOS Transistor

12. Zależność między Vgs i identyfikatory, za ustaloną Vds

13. MOS równań (równania Podstawowe DC):

14. Efekty drugiego rzędu

15. CMOS CECHY INVETER

16. Przetwornica DC Charakterystyka

17. Graficzna Wyprowadzenie Charakterystyka Przetwornica DC

18. margines szumów

19. Statyczny nacisk inwertery MOS

20. Bramy transmisyjne

21. Przetwornica Tristate

22. wahacza schematy-Kodowanie dla procesu NMOS

23. Kodowanie dla procesu CMOS

24. Kodowanie BJT i ​​MOSFET

25. NMOS i styl CMOS Projektowanie

26. Zasady projektowania - MOS IC & Technology

27. Via

28. CMOS lambda zasady projektowania w oparciu

29. Sposób Orbita 2um CMOS

30. Oszacowanie oporu.

31. Opór arkusza tranzystorów MOS

oszacowanie 32. Pojemność

33. Opóźnienie

34. Inverter opóźnienia

35. Formalne oszacowanie opóźnienia

36. Prowadzenie duże obciążenie pojemnościowe

37. Optymalna wartość f

Bufor 38. Super

Kierowcy 39. BiCMOS

40. Opóźnienie propagacji

41. Inne źródła pojemności

42. Wybór warstwami

43. Skalowanie urządzeń MOS

44. Podstawowa konstrukcja fizyczna przegląd

45. Podstawowa konstrukcja fizyczna przegląd

46. ​​Schemat i układ podstawowych bram-Inverter Brama

47. Schemat i układ podstawowych bramek NAND i NOR-Bramy

Brama 48. Przekładnia

49. CMOS standardowa konstrukcja komórkowa

50. Układ do optymalizacji wydajności

51. Ogólne wytyczne układ

52. Logika BiCMOS

53. Pseudo NMOS logiki

54. Inne odmiany pseudo nmos- logiki spustowego Multi i logiki sprzężone

55. Inne odmiany pseudo nmos- logikę Dynamicznego CMOS

56. Inne odmiany pseudo nmos- taktowany CMOS logicznych (C2MOS)

57. CMOS logika domino

logiczny przełącznik napięcia 58. Kaskadowe

59. Przełęcz logiki tranzystora

60. Układ logiczny CMOS konstrukcje technologia

61. Skalowanie MOS

62. Technologia skalowania

63. International Technology Roadmap dla półprzewodników (ITR)

64. Skalowanie modele i skalowanie Czynniki parametrów urządzenia

65. Implikacje Skalowanie

66. połączeniowe Nieszczęścia

67. Osiągalny Promień

68. Dynamiczne i statyczne Moc

69. Produktywność i fizycznych granic

70. Ograniczenia Skalowanie

71. Podłoże doping

Szerokość 72. Zubożenie

73. Granice miniaturyzacji

74. Granice łączącego i Rezystancja

75. Granice z powodu prądów podprogowej

76. Granice z powodu prądów podprogowej

77. Układ

78. VLSI przepływu konstrukcja

79. 3 usystematyzowane podejście projektowe

80. Regularność

81. MOSFET jako przełącznik

82. równoległego lub szeregowego połączenia łączników

83. CMOS INVERTER

84. NAND brama projekt

85. Projekt NOR gate

86. Właściwości CMOS

87. Kompleks bramy

88. Kompleks bramy AOI

Ważne linki

Zgłoszenie: Podziel się swoją opinią na essyengineering@gmail.com

więzi społecznych

Facebook: https://www.facebook.com/EngineeringEasy/

Twitter: https://twitter.com/easyengineerin

Strona WWW: http: //www.engineeringapps.net/

Wszystko, co bardzo szczęśliwy Learning